麻省理工學院（MIT）的物理學家利用太赫茲輻射，成功改變反鐵磁材料的磁性狀態，這項突破可能推進未來記憶晶片技術的發展。反鐵磁材料的原子自旋排列為「上下交錯」，使其總體磁化為零且不受外部磁場影響。然而，這一特性同時使其難以...